[发明专利]存储元件及其制造方法和半导体存储装置有效
| 申请号： | 201010141555.X | 申请日： | 2010-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101859871A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 角野润 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 宋鹤;南霆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种存储元件及其制造方法和半导体存储装置。这里公开的存储元件包括：第一电极；形成在与第一电极相对的位置的第二电极；以及形成为置于第一电极与第二电极之间的可变电阻层。第一电极为管状物，并且形成为使其在与可变电阻层相反的一侧上比在可变电阻层的一侧上更厚。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 及其 制造 方法 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种存储元件，包括：第一电极；第二电极，其形成在与所述第一电极相对的位置处；以及可变电阻层，其形成为置于所述第一电极与所述第二电极之间；其中，所述第一电极为管状物，并且形成为在与所述可变电阻层相反的一侧上比在所述可变电阻层的一侧上更厚。
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