[发明专利]基于AFM的纳米级电极加工方法有效
申请号: | 201010138122.9 | 申请日: | 2010-04-02 |
公开(公告)号: | CN102211755A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 焦念东;王志迁;董再励 | 申请(专利权)人: | 中国科学院沈阳自动化研究所 |
主分类号: | B82B3/00 | 分类号: | B82B3/00 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 俞鲁江 |
地址: | 110116 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明公开一种基于AFM的纳米级电极加工方法,通过控制AFM探针与样本作用力、探针运动路径及速度对微米级电极进行切割加工,实现电极前端宽度100纳米以内的纳米级电极的加工,增加其在纳流控测试中的检测精度及灵敏度。本发明的纳米级电极加工方法可应用于纳流控芯片中对纳米沟道内流体特性及生物单分子进行高灵敏度检测分析。 | ||
搜索关键词: | 基于 afm 纳米 电极 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种基于AFM的纳米级电极加工方法,其特征在于:控制AFM探针施加的力及运动路径对单根微米电极进行切割操作,加工出具有纳米间隙的一对儿微米电极;接下来利用同样的方法继续对两段微米电极前端分别进行特定路径的切割加工,最终形成前端具有三角形状、宽度小于100纳米的纳米级电极。
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