[发明专利]碳化硅/碳化钨复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201010135673.X | 申请日： | 2010-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101823882A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 宋书清;宋贺臣;姜维海 | 申请（专利权）人： | 河南新大新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/56 | 分类号： | C04B35/56;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 郑州大通专利商标代理有限公司 41111 | 代理人： | 樊羿 |
| 地址： | 475000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅/碳化钨复合材料及其制备方法。其制备方法是：在采用Acheson法冶炼碳化硅的工业生产过程中，引入钨源；通过调节C源、Si源和W源的比例，不改变Acheson法冶炼碳化硅的其他工艺条件，制备出碳化硅/碳化钨复合材料，其中W源∶C源∶Si源的质量比为1∶0.58～2.02∶0.79～2.05；冶炼温度1800℃～2400℃；冶炼时间8～24h。本发明复合材料具有硬度高、热膨胀系数低、导热系数高等特性，除具备碳化硅、碳化钨材料本身超硬、耐磨、耐蚀的特性外，该新型复合材料的密度在一定范围内可调控，高温下与金属液体的浸润性明显改善，用其可制备出增强颗粒均匀分散的金属基复合材料。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 碳化 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅/碳化钨复合材料，其特征在于，它是在Acheson法冶炼碳化硅的原料中按MW源∶MC源∶MSi源＝1.0∶0.58～2.02∶0.79～2.05的质量比引入W源粉体后，于碳化硅冶炼炉中在1800℃～2400℃的温度下经8～24小时冶炼而成的所含C、Si、W元素呈弥散分布的复合材料。
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