[发明专利]薄膜半导体装置、电光装置和电子设备

摘要

通过在各像素配置N型和P型的2个薄膜晶体管，接触孔的形成数从2个增至4个，薄膜晶体管的平面占有面积变大。本发明提供了薄膜半导体装置、电光装置和电子设备，其中将N型薄膜晶体管NT的漏极区域ND和P型薄膜晶体管PT的漏极区域PD部分相邻地配置，另外，将N型薄膜晶体管NT的源极区域NS和P型薄膜晶体管PT的源极区域PS部分相邻地配置。在漏极区域ND与漏极区域PD的相邻部分形成1个接触孔121，漏极区域ND和漏极区域PD同时与信号线12电气连接。在源极区域NS和源极区域PS的相邻部分形成1个接触孔291，源极区域NS和源极区域PS同时与电容电极29连接。

主权项

一种薄膜半导体装置，其特征在于，在基板上具有沟道为N型的薄膜晶体管和沟道为P型的薄膜晶体管，上述N型的薄膜晶体管的源极区域和上述P型的薄膜晶体管的源极区域在至少部分区域中相邻配置，并且经由在上述部分区域形成的1个接触孔与第1电极连接，上述N型的薄膜晶体管的漏极区域和上述P型的薄膜晶体管的漏极区域在至少部分区域中相邻配置，并且经由在上述部分区域形成的1个接触孔与第2电极连接。