[发明专利]一种处理含硅的底部抗反射涂层的方法有效
| 申请号： | 201010131818.9 | 申请日： | 2010-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102193318A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 尹晓明;安辉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种处理含硅的底部抗反射涂层的方法，该方法包括对与光刻胶接触的含硅的底部抗反射涂层的表面进行等离子处理以形成界面层。在进行等离子处理前，该方法还包括在前端器件层上涂覆一层或多层BARC层；在最上方BARC层上涂覆含硅的底部抗反射涂层。通过本发明的方法，消除了光刻胶的“颈缩”现象，改善了线条边缘粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 处理 底部 反射 涂层 方法 | ||
【主权项】：
一种处理含硅的底部抗反射涂层的方法，所述方法包括对与光刻胶接触的含硅的底部抗反射涂层的表面进行等离子处理以形成界面层。
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