[发明专利]在液体石蜡中“一锅法”制备油溶性半导体纳米晶的方法有效

专利信息
申请号: 201010130673.0 申请日: 2010-03-24
公开(公告)号: CN101786602A 公开(公告)日: 2010-07-28
发明(设计)人: 张皓;刘轶;韩吉姝;杨柏 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: B82B3/00 分类号: B82B3/00
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人: 张景林;刘喜生
地址: 130012 吉林*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明涉及一种制备油溶性半导体纳米晶的方法,即将反应物加入到液体石蜡中通过加热制备油溶性半导体纳米晶。在制备中所用原料为金属源(锌源、镉源、铜源、锰源)、硒源或硫源、脂肪族羧酸配体和液体石蜡;三种类型的原料的摩尔比率为1∶0.25~0.75∶2。通过在选定的生长温度下生长不同时间可以得到不同尺寸、形貌的油溶性半导体纳米晶。本发明采用“一锅法”,在合成的过程中不需要进行注射前躯体的实验步骤,因此实验操作简便,危险性小,并且具有良好的实验重复性。同时本发明选用液体石蜡作为反应溶剂,由于液体石蜡价格便宜且绿色环保,因此这种方法有效的降低了试验成本并且不会对环境造成破坏,很适合于纳米晶的工业化生产。
搜索关键词: 液体 石蜡 一锅 制备 油溶性 半导体 纳米 方法
【主权项】:
在液体石蜡中“一锅法”制备油溶性半导体纳米晶的方法,其步骤如下:将金属源、硒源或硫源、脂肪族羧酸配体加入到10~15ml的液体石蜡中,金属源的浓度为1.7×10-2~1.3×10-1mol/L,金属源、Se源或S源、脂肪族羧酸配体的摩尔比为1∶0.25~0.75∶2;反应体系在真空条件下加热到120℃将金属源溶解,得到无色透明溶液;然后再在N2气保护下以4.5~14.5℃/min的升温速度将溶液由120℃升温到240~300℃,并在选定生长温度下生长0~5小时,即得到不同尺寸、不同形貌的油溶性半导体纳米晶。
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