[发明专利]掺杂芴甲氧羰酰氯的氧化硅薄膜及其制备方法和应用无效
申请号: | 201010129755.3 | 申请日: | 2010-03-13 |
公开(公告)号: | CN102191040A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 唐朝龙;孟国文;黄竹林;张欣瑞;李中波;王美玲 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
主分类号: | C09K11/06 | 分类号: | C09K11/06;G01N21/64 |
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地址: | 230031*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种掺杂芴甲氧羰酰氯的氧化硅薄膜及其制备方法和应用。薄膜为氧化硅薄膜中掺杂有芴甲氧羰酰氯,芴甲氧羰酰氯与氧化硅间的质量比为0.0048~0.0067∶1;方法为先将正硅酸乙酯、乙醇和去离子水按照0.5~1.5∶3~5∶9~13的摩尔比混合均匀,再向其中加入盐酸或硝酸或氢氟酸调节其pH值为1.1~1.3后,将其置于55~65℃下回流至少4h,得到混合液,接着向混合液中加入浓度为0.05~0.07mM的芴甲氧羰酰氯的乙腈溶液后搅拌至少3h,得到掺杂凝胶,之后,将掺杂凝胶置于密闭状态下至少24h后,先于掺杂凝胶中在基底上浸润提拉,或先将掺杂凝胶涂覆至基底上,得到薄膜,再将薄膜干燥后,制得掺杂芴甲氧羰酰氯的氧化硅薄膜。它可用于对痕量五氯苯酚进行有效地检测。 | ||
搜索关键词: | 掺杂 芴甲氧羰酰氯 氧化 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种掺杂芴甲氧羰酰氯的氧化硅薄膜,包括氧化硅薄膜,其特征在于:所述氧化硅薄膜中掺杂有芴甲氧羰酰氯,所述芴甲氧羰酰氯与氧化硅间的质量比为0.0048~0.0067∶1。
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