[发明专利]一种抗辐照的Halo结构MOS器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201010128005.4 | 申请日： | 2010-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102194868A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 黄德涛;刘文;王思浩;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗辐照的Halo结构MOS器件及其制备方法，所述Halo结构MOS器件包括衬底、源区、漏区、栅氧化层、栅极和栅侧墙，源漏之间、沟道区的两侧为浅掺杂注入区，在浅掺杂注入区的近沟道端包围有重掺杂的Halo区，其特征在于，通过控制Halo注入的角度、剂量和能量，使所述Halo区的掺杂浓度为4×1018cm-3～1×1019cm-3，半径为30～50纳米。本发明通过优化Halo结构器件的参数，使器件在短沟道特性满足常规应用的情况下增强了抗总剂量辐照性能，有利于提高应用于空间环境中的集成电路芯片的可靠性和寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐照 halo 结构 mos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Halo结构的MOS器件，包括衬底、源区、漏区、栅氧化层、栅极和栅侧墙，源漏之间、沟道区的两侧为浅掺杂注入区，在浅掺杂注入区的近沟道端包围有重掺杂的Halo区，其特征在于，所述Halo区的掺杂浓度为4×1018cm‑3～1×1019cm‑3，Halo区的半径为30～50纳米。
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