[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、以及显示装置有效
| 申请号： | 201010125208.8 | 申请日： | 2010-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101826557A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 山口典彦;谷口理;宫下宽子;寺井康浩 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/51;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷;南霆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了薄膜晶体管及其制造方法、以及显示装置，其能够抑制铝扩散到氧化物半导体中，并选择性地刻蚀氧化物半导体和氧化铝。薄膜晶体管包括：栅极电极；沟道层，其主要成分是氧化物半导体；栅极绝缘膜，其设置在栅极电极和沟道层之间；密封层，其设置在沟道层的与栅极电极相对的一侧上；以及一对电极，其与沟道层接触并用作源极和漏极。密封层至少包括：第一绝缘膜，其由第一绝缘材料制成；以及第二绝缘膜，其由具有对氧化物半导体和第一绝缘材料每一者的刻蚀选择性的第二绝缘材料制成，并且设置在第一绝缘膜和沟道层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：栅极电极；沟道层，其主要成分是氧化物半导体；栅极绝缘膜，其设置在所述栅极电极和所述沟道层之间；密封层，其设置在所述沟道层的与所述栅极电极相对的一侧上；以及一对电极，其与所述沟道层接触并用作源极和漏极，其中，所述密封层至少包括第一绝缘膜，其由第一绝缘材料制成，以及第二绝缘膜，其由具有对所述氧化物半导体和所述第一绝缘材料每一者的刻蚀选择性的第二绝缘材料制成，并且设置在所述第一绝缘膜和所述沟道层之间。
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