[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和有机发光二极管显示器装置有效
| 申请号： | 201010124380.1 | 申请日： | 2010-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101826556A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 朴炳建;梁泰勋;徐晋旭;李基龙;马克西姆·利萨琴科;崔宝京;李大宇;李吉远;李东炫;朴钟力;安志洙;金永大;罗兴烈;郑珉在;郑胤谟;洪钟元;姜有珍;张锡洛;郑在琓;尹祥渊 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王琦;王珍仙 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜晶体管(TFT)和有机发光二极管(OLED)显示器装置。所述TFT和OLED显示器装置包括基板；缓冲层，所述缓冲层位于所述基板上；半导体层，所述半导体层位于所述缓冲层上；栅电极，所述栅电极与所述半导体层绝缘；栅绝缘层，所述栅绝缘层将所述半导体层与所述栅电极绝缘；以及源电极和漏电极，所述源电极和漏电极与所述栅电极绝缘，且部分连接所述半导体层，其中所述半导体层由金属催化剂结晶化的多晶硅层形成，且所述金属催化剂通过使用蚀刻剂吸杂来去除。此外，OLED显示器装置包括绝缘层，所述绝缘层位于所述基板的整个表面上；第一电极，所述第一电极位于所述绝缘层上，且电连接所述源电极和漏电极其中之一；有机层；和第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 有机 发光二极管 显示器 装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：缓冲层，所述缓冲层位于基板上；半导体层，所述半导体层位于所述缓冲层上；栅电极，所述栅电极与所述半导体层绝缘；栅绝缘层，所述栅绝缘层使所述半导体层与所述栅电极绝缘；和源电极和漏电极，所述源电极和漏电极与所述栅电极绝缘，并部分连接所述半导体层，其中所述半导体层包括至少一个凹槽。
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