[发明专利]扩大金属互连的光刻工艺窗口的方法无效
| 申请号： | 201010123625.9 | 申请日： | 2010-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN102194734A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 赵保军 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种扩大金属互连的光刻工艺窗口的方法，所述金属互连通过包括通孔和沟槽的双大马士革结构实现，所述沟槽使用硬掩膜通过光刻工艺形成，所述硬掩膜含有低温氧化物层和形成于所述低温氧化物层之上的有机底部抗反射涂层，其中，通过沉积工艺形成所述低温氧化物层后，用活性气体等离子处理所述低温氧化物层的表面以提高所述低温氧化物层和所述有机底部抗反射涂层之间的粘附性。 | ||
| 搜索关键词： | 扩大 金属 互连 光刻 工艺 窗口 方法 | ||
【主权项】：
一种扩大金属互连的光刻工艺窗口的方法，所述金属互连通过包括通孔和沟槽的双大马士革结构实现，所述沟槽使用硬掩膜通过光刻工艺形成，所述硬掩膜含有低温氧化物层和形成于所述低温氧化物层之上的有机底部抗反射涂层，其特征在于，通过沉积工艺形成所述低温氧化物层后，用活性气体等离子处理所述低温氧化物层的表面以提高所述低温氧化物层和所述有机底部抗反射涂层之间的粘附性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
