[发明专利]用于霍尔元件的新型薄膜材料无效
| 申请号： | 201010123102.4 | 申请日： | 2010-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101789488A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 程雅慧;李鲁艳;罗晓光;刘晖 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/14;H01L43/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300071 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种薄膜材料及其制备方法，特别是一种可以应用于霍尔元件磁敏感活性层的Fe2.95Pt0.05O4薄膜材料及其制备方法。所涉及的纳米晶Fe2.95Pt0.05O4磁敏感薄膜厚度在4～400纳米；所涉及的纳米晶Fe2.95Pt0.05O4薄膜与传统的半导体薄膜相比，具有电阻率低、工作温度范围宽、线性度好、体积小等优点，而且制备简单、成本低，因而在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 霍尔 元件 新型 薄膜 材料 | ||
【主权项】：
一种纳米晶薄膜磁敏材料，其特征在于化学式为Fe2.95Pt0.05O3，其薄膜厚度在4～400纳米。
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