[发明专利]成膜装置和成膜方法有效
| 申请号: | 201010122653.9 | 申请日: | 2010-03-03 |
| 公开(公告)号: | CN101826446A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
| 发明(设计)人: | 加藤寿;本间学;菊地宏之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供一种成膜装置和成膜方法。该成膜方法为了使基板按顺序位于用于分别供给多种反应气体的多个处理区域、设在上述处理区域之间的被供给分离气体的分离区域,使用于分别供给多种反应气体的多个反应气体供给部件以及用于供给分离气体的分离气体供给部件、用于载置基板的工作台绕铅垂轴线相对旋转而在基板上层叠反应生成物的层,之后使工作台上的基板绕铅垂轴线自转,然后再使基板按顺序位于各个区域中,从而形成由反应生成物的层构成的薄膜。 | ||
| 搜索关键词: | 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种成膜装置,其在容器内将互相反应的至少2种反应气体按顺序供给到基板的表面上且执行该供给循环,从而层叠反应生成物的层而形成膜,其中,该成膜装置包括:基座,其被设置在上述容器内;多个反应气体供给部件,其被设置成与上述基座的上表面相对且沿该基座的周向彼此分开,用于将多种反应气体分别供给到基板的表面上;分离区域,其为了划分自上述多个反应气体供给部件分别供给反应气体的多个处理区域彼此的气氛而在上述基座的周向上设在上述多个处理区域之间,且具有用于供给分离气体的分离气体供给部件;旋转机构,其用于使上述反应气体供给部件、上述分离气体供给部件以及上述基座绕铅垂轴线相对旋转;基板载置区域,其沿上述旋转机构的旋转方向地设在上述基座上,以能够利用该旋转机构的旋转使上述基板按顺序位于上述多个处理区域以及上述分离区域中;自转机构,其用于使载置在上述基板载置区域的上述基板绕铅垂轴线自转规定角度;以及排气部件,其用于对上述容器内进行排气。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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