[发明专利]存储器装置、磁性随机存取存储器的存储单元及制造方法无效
| 申请号： | 201010121327.6 | 申请日： | 2010-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN102074649A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 林春荣;王郁仁;高雅真;陈文正;刘明德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/00 | 分类号： | H01L43/00;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器装置、磁性随机存取存储器的存储单元及其制造方法，用于MRAM的反向连接的STT MTJ元件，当切换该MTJ元件的磁化自平行至反平行方向时，用以克服源极退化效应。一MRAM的存储单元具有反向连接的MTJ元件，包括一切换元件，具有一源极、一栅极和一漏极，以及反向连接的MTJ元件具有一自由层、一固定层和一隔离层。该反向连接的MTJ元件的自由层与该切换元件的漏极连接，及该固定层与一位元线连接。该反向连接的MTJ元件运用该存储单元的低IMTJ能力，致使源极退化效应对IMTJ(AP→P)影响较不严厉，而保有较高的IMTJ能力因应较严格的IMTJ(P→AP)需求。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 磁性 随机存取存储器 存储 单元 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁性随机存取存储器的存储单元，包括：一切换元件，包括一源极、一栅极和一漏极；以及一磁性穿隧结元件，包括一自由层、一固定层和一隔离层，其中该隔离层夹置于该自由层与该固定层之间；其中该磁性穿隧结元件的自由层与该切换元件的漏极连接，该磁性穿隧结元件的固定层与一位元线连接，该切换元件的栅极与一字元线连接，及该切换元件的源极与一感测线连接。
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