[发明专利]非真空制作铜铟镓硒吸收层的方法无效
申请号: | 201010120009.8 | 申请日: | 2010-02-12 |
公开(公告)号: | CN101789470A | 公开(公告)日: | 2010-07-28 |
发明(设计)人: | 陈文仁;杨益郎 | 申请(专利权)人: | 昆山正富机械工业有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 215332 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明是有关一种非真空制作铜铟镓硒吸收层的方法,用以在非真空下一钼层上形成均匀光吸收层,包括以下步骤:首先,依据配方比例,混合含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒(硫)的原始混合粉末;其次,在该混合粉末中添加额外的VIA族元素粉末,使形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的最后混合粉末;再添加溶剂、界面活性剂和接着剂至该最后混合粉末中并进行搅拌形成铜铟镓硒浆料;接着,将该铜铟镓硒浆料涂布在钼层上,软烤使溶剂挥发形成光吸收前驱层;以及最后,再将含该光吸收前驱层的基板置于含VIA族元素粉末的RTA炉中,高温形成VIA族蒸气气氛下退火长晶,以形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的的光吸收层。 | ||
搜索关键词: | 真空 制作 铜铟镓硒 吸收 方法 | ||
【主权项】:
一种非真空制作铜铟镓硒吸收层的方法,用以在非真空下一钼层上而形成均匀光吸收层,其特征在于该方法包括以下步骤:首先,依据配方比例,混合含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的原始混合粉末;其次,在该混合粉末中添加额外的VIA族元素粉末,使VIA族的比例提高,形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的最后混合粉末;再添加溶剂、界面活性剂和接着剂至该最后混合粉末中并进行搅拌,藉以形成含有IB、IIIA及VIA族元素的铜铟镓硒浆料;接着,将该铜铟镓硒浆料涂布在钼层上,软烤使溶剂挥发形成光吸收前驱层;以及最后,再将含该光吸收前驱层的基板置于含VIA族元素粉末的RTA炉中,高温形成VIA族蒸气气氛下退火长晶,以形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的的光吸收层。
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