[发明专利]一种掩膜图形缺陷的检测方法及系统

摘要

本发明涉及一种掩膜图形缺陷的检测方法及系统。方法包括：获取掩膜图像的步骤，其得到待测掩膜图像和正常掩膜图像；特征提取和格式转化步骤，其提取边缘特征并将其转化为以几何图形格式存储；填充步骤，对所述几何图形中的矩形边缘轮廓中的空白区域进行填充；数据合并步骤，其进行图形叠加；轮廓仿真步骤，其进行晶圆片的轮廓仿真；仿真轮廓的关键尺寸分析步骤，其测取关键尺寸并求关键尺寸的差值；以及判断步骤，其通过关键尺寸的差值判断掩膜缺陷修复是否成功。本发明进一步涉及一种掩膜图形缺陷的检测系统。本发明的方法和系统简单易行，效果显著，而且有效地降低了45nm及更高阶纳米级光刻技术中的光刻掩膜版制作工艺的制作成本。

主权项

一种掩膜图形缺陷的检测方法，其包括：获取掩膜图像的步骤，其在光刻掩膜版上的掩膜图形缺陷修复之后，获取所述掩膜图形缺陷位置对应的掩膜图形的SEM图像和正常掩膜图形相应位置的SEM图像，其中，所述掩膜图形缺陷位置对应的掩膜图形的SEM图像是待测掩膜图像，所述正常掩膜图形相应位置的SEM图像是正常掩膜图像；特征提取和格式转化步骤，提取所述待测掩膜图像和所述正常掩膜图像的边缘特征，并将其转化为以几何图形格式存储，从而得到初始掩膜缺陷图形和初始正常掩膜图形；填充步骤，对所述初始掩膜缺陷图形和所述初始正常掩膜图形的矩形边缘轮廓中的空白区域进行填充，从而形成掩膜缺陷图形和正常掩膜图形；数据合并步骤，将所述掩膜缺陷图形与原始集成电路设计版图的几何图形进行叠加，得到合并的掩膜缺陷图形；轮廓仿真步骤，将所述合并的掩膜缺陷图形和所述正常掩膜图形分别送入轮廓仿真系统进行晶圆片的轮廓仿真，从而生成掩膜缺陷图形轮廓和正常掩膜图形轮廓；仿真轮廓的关键尺寸分析步骤，测取所述掩膜缺陷图形轮廓的缺陷位置的关键尺寸和所述正常掩膜图形轮廓的相应位置的关键尺寸，并将所述掩膜缺陷图形轮廓的缺陷位置的关键尺寸与所述正常掩膜图形轮廓的相应位置的关键尺寸进行比较，求其关键尺寸的差值；以及，判断步骤，判断所述关键尺寸的差值是否超过预先设定的阈值，从而确定所述掩膜图形缺陷是否修复成功。