[发明专利]固体元件装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010117674.1 | 申请日： | 2004-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN101789482A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 末广好伸;井上光宏;加藤英昭;甚目邦博;东门领一;和田聪;太田光一;相田和哉;渡部洋己;山本吉记;大塚正明;沢登成人 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社;株式会社住田光学玻璃 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 雒运朴;李伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种固体元件装置，其可实现低温下的玻璃封固加工、且提供具有高可靠性封固结构的固体元件装置。对于搭载有GaN系LED元件(2)的含玻璃Al2O3基片(3)，平行地设置P2O5-ZnO系低熔点玻璃，且在氮气氛中，将压力设为60kgf，并在415℃及其以上的温度下进行热压加工。该条件下的低熔点玻璃的粘度为109泊，低熔点玻璃通过在含玻璃Al2O3基片(3)的表面上形成的氧化物而被粘接。 | ||
| 搜索关键词： | 固体 元件 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种固体元件装置，其特征在于，具有：固体元件；对前述固体元件进行电力接受供给的形成有导电图形的无机材料基片；以及玻璃封固部，其封固前述固体元件，且采用了从SiO2-Nb2O5系、B2O3-F系、P2O5-F系、P2O5-ZnO系、SiO2-B2O3-La2O3系、以及SiO2-B2O3系选择的低熔点玻璃。
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