[发明专利]一种发光二极管芯片的结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201010116073.9 | 申请日： | 2010-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101814565A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 张楠;周健华;郝茂盛;叶青;潘尧波;朱广敏;齐胜利;杨卫桥 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;上海半导体照明工程技术研究中心 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管芯片结构及其制造方法，该结构包括生长衬底以及位于生长衬底上的半导体外延层，所述生长衬底或者半导体外延层或者生长衬底和半导体外延层的横截面的边缘为锯齿形或波浪形。该结构增加了芯片侧壁的面积、调整了芯片的出光角度，明显改善了芯片的亮度。本发明通过侧壁微结构技术，提高了芯片整体的出光效率，出光效率提高25％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片结构，其包括生长衬底以及位于生长衬底上的半导体外延层，所述半导体外延层从下到上包括N型半导体层、有源层、及P型半导体层，其特征在于：所述生长衬底或者半导体外延层或者生长衬底和半导体外延层的横截面的边缘为锯齿形或波浪形。
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