[发明专利]超疏水的氟硅聚合物/纳米二氧化硅杂化纳米材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201010116046.1 | 申请日： | 2010-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN101805434A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 罗正鸿;于海江;周寅宁 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C08F293/00 | 分类号： | C08F293/00;C08F292/00;C09D153/00;C09D5/16 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 超疏水的氟硅聚合物/纳米二氧化硅杂化纳米材料及其制备方法，涉及一种超疏水纳米材料及其制备方法。提供一种反应条件温和、反应产物结构明确以及操作简便的超疏水的氟硅聚合物/纳米二氧化硅杂化纳米材料及其制备方法。先制备硅烷偶联剂改性的纳米二氧化硅，再制备纳米二氧化硅原子转移自由基表面引发剂，然后制备SiO2-聚甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷大分子引发剂，最后制备氟硅聚合物/纳米二氧化硅杂化纳米超疏水材料。具有优良的耐高温性、耐紫外光性、耐红外辐射性、耐氧化降解性、耐化学品性和耐沾污性，其中聚甲基丙烯酸七氟丁酯具有极低的表面能和很好的疏水性，表面能可低至0.5～1.5mN/m，疏水角可达到150°以上。 | ||
| 搜索关键词： | 疏水 聚合物 纳米 二氧化硅 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.超疏水的氟硅聚合物/纳米二氧化硅杂化纳米材料，其特征在于其化学结构式为：![]()
其中，Silica为二氧化硅，m为γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷聚合度，n为甲基丙烯酸七氟丁酯的聚合度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门大学，未经厦门大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010116046.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：生产气敏基底的方法和系统
- 下一篇：太阳能电池及其制造方法
