[发明专利]形成铜互连MIM电容器结构的方法及所形成的结构

摘要

本发明公开了一种形成铜互连MIM电容器结构的方法及所形成的结构。该方法首先在铜互连结构中制造一个铜导电图形以及至少一个与所述铜导电图形相连的铜通孔栓；刻蚀掉所述铜通孔栓周围的绝缘层及刻蚀停止层，使所述铜通孔栓的上表面、侧面及所述铜导电图形的部分上表面露出；在所得结构表面形成介电层，之后在所得结构的凹陷区域填充保护材料；刻蚀其他铜导电图形所需的通孔和沟槽；然后去除所述保护材料；在除去所述保护材料后的凹陷区域以及刻蚀出的通孔和沟槽中镀铜，得到铜互连MIM电容器结构。本发明与铜互连制程工艺兼容的同时，可在有限的电极面积内，进一步增大电容器容量，简化工艺步骤，节约生产成本。

主权项

一种形成铜互连MIM电容器结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在第一绝缘层(101)中制造第一铜导电图形(400)；步骤二，在所述第一绝缘层(101)上形成第一刻蚀停止层(201)，在所述第一刻蚀停止层(201)上形成第二绝缘层(102)，在所述第二绝缘层(102)中制造至少一个第一铜通孔栓(401)使之与所述第一铜导电图形(400)相连；步骤三，在所述第二绝缘层(102)上形成第二刻蚀停止层(202)，在所述第二刻蚀停止层(202)上形成第三绝缘层(103)；步骤四，从所述第三绝缘层(103)向下，刻蚀掉所述第一铜通孔栓(401)周围的第二、三绝缘层(102，103)及第一、二刻蚀停止层(201，202)，使所述第一铜通孔栓(401)的上表面、侧面及所述第一铜导电图形(400)的部分上表面露出，形成凹陷区域；步骤五，在步骤四所得结构表面形成介电层(500)，之后在覆盖有所述介电层(500)的凹陷区域内填充保护材料；步骤六，从所述第三绝缘层(103)上的介电层(500)向下刻蚀，形成其他铜导电图形(700)所需的沟槽；步骤七，去除所述保护材料；步骤八，在覆盖有所述介电层(500)的凹陷区域内镀铜形成MIM电容器的上电极(600)，同时在步骤六刻蚀出的沟槽中镀铜完成所述其他铜导电图形(700)，得到铜互连MIM电容器结构。