[发明专利]一种同轴异质结TiO2纳米管阵列及其制备方法有效
| 申请号： | 201010111203.X | 申请日： | 2010-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101786658A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 朱文;刘喜;柳慧琼;仝大利 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C01G23/047 | 分类号： | C01G23/047;B82B3/00;B01J21/06 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种有序阵列的同轴异质结结构的纳米管，以及具有这种同轴异质结结构的纳米管阵列薄膜的制备方法。它通过欠电势沉积过程形成表面化学限制生长，从单原子层角度来实现外延生长。外延敏化异质相均匀地覆盖在TiO2纳米管管壁上，与纳米管阵列形成一种同轴异质结结构，避免了出现外延敏化层堵塞纳米管的现象。这种同轴异质结结构不会减小TiO2纳米管阵列的比表面积和吸附能力，有利于提高敏化剂与TiO2表面的接触面积，能有效提高TiO2纳米管有序阵列的可见光响应性能，该方法所得CdS/TiO2同轴异质结纳米管阵列的光电转换效率在全谱模拟太阳光照下达到了8.13％，可广泛应用于光催化领域、太阳能电池、气敏传感、生物医学等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 同轴 异质结 tio sub 纳米 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种同轴异质结TiO2纳米管阵列的制备方法，包括如下步骤：(1)制备TiO2纳米管阵列，作为制备同轴异质结纳米管阵列的衬底；(2)配置反应溶液，即分别配置包含同轴异质结化合物各组成元素的溶液；(3)将TiO2纳米管阵列衬底分别在上述各反应溶液中进行循环伏安扫描，确定出每一种组成元素在TiO2纳米管阵列衬底上的欠电势沉积电位区间；(4)在衬底上对各组成元素在各自确定的欠电势沉积电位区间进行交替沉积，完成各组成元素原子层外延生长，即得到上述化合物的同轴异质结TiO2纳米管阵列。
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