[发明专利]III族氮化物晶体基材和半导体设备无效
| 申请号： | 201010111026.5 | 申请日： | 2006-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN101792929A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 石桥惠二;西浦隆幸 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;H01L33/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种III族氮化物晶体基材，所述基材包括：厚度为50nm以下的受影响层；和厚度为3nm以下的表面氧化层。本发明还提供了一种半导体设备，所述半导体设备包括上述的III族氮化物晶体基材。本发明提供的另一种III族氮化物晶体基材除上述两层外还包括通过外延生长在所述III族氮化物晶体基材上形成的至少一个III族氮化物层。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 晶体 基材 半导体设备 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物晶体基材，所述基材包括：厚度为50nm以下的受影响层；和厚度为3nm以下的表面氧化层。
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