[发明专利]一种具有掺杂中间层结构的非晶/微晶硅叠层太阳电池及其制造方法

摘要

本发明涉及一种具有掺杂中间层结构的非晶/微晶硅叠层太阳电池及其制造方法，采用中间层为n+-ZnO:Al/p+-μc-Si:H薄膜(11)(12)结构的重掺杂n+p+隧道结串联非晶/微晶硅叠层电池顶电池和底电池，制备得到a-Si:H/n+-ZnO:Al/p+-μc-Si:H/μc-Si:H结构叠层电池，该电池利用ZnO:Al的重掺杂n+型半导体特征及其良好的导电性和陷光作用，做成n+-ZnO:Al/p+-μc-Si:H薄膜(11)(12)结构的重掺杂n+p+隧道结，既能解决传统非晶硅叠层电池的光生载流子收集效率问题，又能实现叠层电池内部陷光，提高电池对入射光吸收效率，电池转换效率达到13.6％。

主权项

一种具有掺杂中间层结构的非晶/微晶硅叠层太阳电池，由透明导电膜(1)、非晶硅顶电池窗口层(2)、非晶硅顶电池本征层(3)、非晶硅顶电池n型层(4)、掺杂中间层(5)、微晶硅底电池p型层(6)、微晶硅底电池本征层(7)、微晶硅底电池n型层(8)、背反射层(9)和背电极层(10)串接组成，其特征在于：所述掺杂中间层是n+-ZnO:Al/p+-μc-Si:H隧道结。