[发明专利]采用衬底栅极的MIS电容下压阻结构及制作方法有效
| 申请号： | 201010023095.0 | 申请日： | 2010-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN102134052A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 杨恒;吴燕红;丁萃;吴紫阳;戴斌;李昕欣;王跃林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00;G01L1/18 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍;余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种采用衬底栅极的MIS电容下压阻结构与实现该压阻结构的自对准加工工艺。用于检测纳米梁位移。该结构用SOI硅片的顶层硅制作纳米梁，用硅衬底作为栅极，腐蚀去除梁与硅衬底间的埋层二氧化硅形成间隙，硅衬底、间隙与纳米梁形成MIS电容结构。在衬底栅极上施加电压使纳米梁下表面形成强反型层，利用反型层与空间电荷区上方的硅作为力敏电阻实现纳米梁振动的压阻检测。通过复合掩模结合各向异性湿法腐蚀可以实现梁上轻掺杂区与衬底栅极的自对准。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 衬底 栅极 mis 电容 下压 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
采用衬底栅极的MIS电容下压阻结构，用于检测纳米梁位移，其特征在于：该结构包括利用SOI硅片的顶层硅制成的纳米梁(1)；该纳米梁上设有掺杂区，包括轻掺杂区(5)和位于轻掺杂区两端的重掺杂区(6)；所述纳米梁两端的下方通过氧化层(3)固定在硅衬底(4)上，且在z方向自由振动；所述轻掺杂区和硅衬底之间设有间隙(7)；所述纳米梁上两端的重掺杂区上设有压焊块(8)。
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