[发明专利]锗催化生长的氧化硅纳米线及其制备方法无效
| 申请号： | 201010023058.X | 申请日： | 2010-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN101798089A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 蒋最敏;聂天晓;樊永良;钟振扬;杨新菊;张翔九 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米材料技术领域，具体为一种利用锗作为催化剂生长的氧化硅纳米线及其制备方法。采用本发明生长的氧化硅纳米线呈非晶态，其直径为20～30nm左右，长度达到数十微米。与以往报道的生长氧化硅纳米线不同，由于在生长过程中没有利用金属作催化剂，也没有采用退火温度接近硅熔点的高温处理技术，因此将氧化硅纳米线应用于研制硅基光集成器件或硅基光电集成器件，本发明生长方法易于和常用的硅集成器件工艺达到兼容，也不会使集成器件中的电子器件，可能因金属沾污导致性能的退化。 | ||
| 搜索关键词： | 催化 生长 氧化 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化硅纳米线，其特征是：该氧化硅纳米线采用锗作为催化剂生长获得，呈非晶态，直径为20～30nm，长度可达几十微米。
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