[发明专利]一种清洗钝化Ge衬底表面的方法无效
申请号: | 201010017126.1 | 申请日: | 2010-01-07 |
公开(公告)号: | CN101838812A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 李学飞;李爱东;龚佑品;翟海法;李辉;吴迪 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | C23G1/02 | 分类号: | C23G1/02;H01L21/00 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 210093*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种清洗钝化Ge衬底表面的方法,首先将锗衬底在丙酮、甲醇中依次超声清洗,然后将锗衬底移到5-20%(重量比)的氢溴酸水溶液中,室温下清洗3-15分钟,接着用高纯氮气吹干,再放入15-50%(重量比)的硫化铵水溶液中,将硫化铵加热到60-80℃,钝化10-20分钟,最后冲洗锗表面并吹干。本发明采用氢溴酸溶液清洗Ge衬底表面,有效地去除了Ge表面的氧化物,然后再采用加热硫化铵溶液钝化Ge衬底表面,形成了稳定的钝化层。之后在钝化过的Ge衬底上沉积氧化铝或者氧化铝/氧化铪纳米叠层或堆栈结构等栅介质薄膜,可以发现明显改进了栅介质薄膜与Ge衬底之间的界面质量,并改善了栅介质薄膜的电学性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 清洗 钝化 ge 衬底 表面 方法 | ||
【主权项】:
一种清洗钝化Ge衬底表面的方法,其特征在于包括以下步骤:首先将锗衬底在丙酮、甲醇中依次超声清洗2-10分钟,去除Ge表面的油污,然后将锗衬底移到5-20%(重量比)的氢溴酸水溶液中,室温下清洗3-15分钟,接着将锗衬底用高纯氮气吹干,吹干后的锗衬底放入15-50%(重量比)的硫化铵水溶液中,将硫化铵加热到60-80℃,钝化10-20分钟,最后用去离子水或乙醇冲洗处理过的锗表面,并用高纯氮气吹干。
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