[发明专利]EL装置无效
| 申请号: | 201010004476.4 | 申请日: | 2006-12-26 | 
| 公开(公告)号: | CN101853875A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 | 
| 发明(设计)人: | 浅野元彦;高杉亲知;加纳圭吾;太田大助;莲见太朗;小川浩充;阿部真一 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 | 
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 | 
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李香兰 | 
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP | 
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| 摘要: | 一种EL装置,能够很好地防止在保护膜上产生的裂纹扩展到基板内侧的元件形成区域。这种EL装置,包括形成四边形状的基板、设置在基板的上表面侧并具有有机发光元件的元件形成区域、设置在元件形成区域和基板的端部之间的区域的凸部、被覆在从元件形成区域到基板的端部的区域内并覆盖在凸部上而形成的保护膜,凸部沿着基板的4边中的至少2边形成大致条状。 | ||
| 搜索关键词: | el 装置 | ||
【主权项】:
                一种EL装置,其特征在于,包括:基板;设置在所述基板的上表面侧并具有有机发光元件的元件形成区域;设置在所述元件形成区域和所述基板的端部之间且远离所述端部的凹部;被覆在从所述元件形成区域到所述基板的端部的区域内并覆盖凹部的内面而形成的保护膜,所述凹部沿着所述基板的端部形成大致条状。
            
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                    H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
                
            H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





