[发明专利]基板输送装置及基板处理系统无效
| 申请号： | 201010002839.0 | 申请日： | 2010-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN101807536A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 矢野光辉;道木裕一;富田浩 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供基板输送装置及基板处理系统。在输送基板时，能抑制在基板上附着微粒，能提高由基板处理系统制造出的产品的成品率。基板输送装置具有：在内部收容基板且在侧面形成有基板的输入输出口(98)的基板收容容器(91)；朝向基板收容容器内(91)内的基板(W)的背面喷射规定气体的气体喷射部(92)；调整从气体喷射部(92)供给的上述规定气体的供给量而将上述基板收容容器(91)内的基板(W)控制在规定的高度的控制部(93)。 | ||
| 搜索关键词： | 输送 装置 处理 系统 | ||
【主权项】：
一种基板输送装置，其特征在于，该基板输送装置包括：基板收容容器，其在内部收容基板，在侧面形成有基板的输入输出口；气体喷射部，其用于朝向上述基板收容容器内的基板的背面喷射规定气体；控制部，其用于调整从上述气体喷射部供给的上述规定气体的供给量，从而将上述基板收容容器内的基板控制在规定高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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