[发明专利]光刻胶残留物去除用组合物无效
| 申请号： | 201010001541.8 | 申请日： | 2010-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN101776853A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 崔好星 | 申请（专利权）人： | 崔好星 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供光刻胶残留物去除用组合物。所述光刻胶残留物去除用组合物必须含有羟基乙酸和水，并向其中选择性地加入pH控制剂和/或清洁能力改进剂。所述光刻胶残留物去除用组合物具有高的去除由光刻胶图案下的金属或硅氧化物层的等离子蚀刻以及灰化所引起的残留物的能力，不导致腐蚀，并且对生态环境友好。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 残留物 去除 组合 | ||
【主权项】：
光刻胶残留物去除用组合物，包含：1重量％～70重量％的羟基乙酸；和剩余部分的水。
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