[发明专利]低压电源

摘要

本发明公开了一种低压电源，包括第一导电类型的半导体衬底；在衬底的一主表面下的至少两个第二导电类型的半导体区；在两个第二导电类型的半导体区之间的重掺杂的第一导电类型的半导体区，且重掺杂的第一导电类型的半导体区不与两个第二导电类型的半导体区接触；当两个第二导电类型的半导体区相对于衬底被反偏置时，衬底的耗尽区扩展到重掺杂的第一导电类型的半导体区，重掺杂的第一导电类型的半导体区构成低压电源的一个端口；两个第二导电类型的半导体区中的任意一个构成低压电源的另一个端口。本发明由嵌位区直接作为低压电源或作为初级低压电源的一个输出端，不需要制造耗尽型的器件，降低了制造工艺的复杂性和制造成本。

主权项

一种低压电源，其特征在于，所述低压电源包含：第一导电类型的半导体衬底；在所述衬底的第一主表面下的至少两个第二导电类型的半导体区；在所述两个第二导电类型的半导体区之间，且不与所述两个第二导电类型的半导体区直接接触的重掺杂的第一导电类型半导体区；当所述两个第二导电类型的半导体区相对于所述衬底均有反向偏压，且所述衬底的耗尽区达到所述重掺杂的第一导电类型半导体区时，所述重掺杂的第一导电类型半导体区内有未耗尽的中性区，称为嵌位区，构成所述低压电源的一个端口；所述嵌位区的电位不同于所述两个第二导电类型的半导体区中的任一未耗尽的中性区的电位，也不同于所述衬底的未耗尽的中性区的电位；所述中性区中的任一个都能够按需要构成所述低压电源的另一个端口。