[其他]光伏器件以及包括其的光伏转换器面板有效
| 申请号： | 200990100326.4 | 申请日： | 2009-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN202217689U | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | J.迈尔;U.克罗尔;J.拜拉特 | 申请（专利权）人： | 欧瑞康太阳能股份公司（特吕巴赫） |
| 主分类号： | H01L31/076 | 分类号： | H01L31/076 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李娜;卢江 |
| 地址： | 瑞士特*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 光伏器件包括：衬底；在所述衬底上沉积的：第一接触层；第二接触层；在所述第一和第二接触层之间的：第一层堆，包括第一p掺杂层、非晶氢化硅的第一至少基本本征层和第一n掺杂层；第二层堆，包括第二p掺杂层、微晶氢化硅的第二至少基本本征层和第二n掺杂层。第一至少基本本征层的厚度在160nm和400nm之间，而所述第二至少基本本征层的厚度在1μm和2μm之间。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 以及 包括 转换器 面板 | ||
【主权项】：
光伏器件，包括：衬底；在所述衬底上沉积的：第一接触层；第二接触层；在所述第一和第二接触层之间的：第一层堆，包括第一p掺杂层、非晶氢化硅的第一至少基本本征层和第一n掺杂层；第二层堆，包括第二p掺杂层、微晶氢化硅的第二至少基本本征层和第二n掺杂层；其中其中所述第一至少基本本征层的厚度是210 nm并且所述第二至少基本本征层的厚度是1.41μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
