[发明专利]具有多层接触的半导体器件无效
| 申请号： | 200980163045.8 | 申请日： | 2009-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102656670A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 森克·哈贝尼希特;德特勒夫·奥尔格思拉格;奥尔里克·舒马赫;斯坦芬·本特·伯格伦德 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/732 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种具有多层接触结构的半导体。所述多层结构包括放置在半导体有源区上的金属接触和放置在所述金属接触上的金属接触延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多层 接触 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种双极晶体管半导体器件，包括：第一衬底层，包括第一导电类型的集电极区；第二衬底层，位于所述第一衬底层上方，所述第二衬底层包括第二导电类型的基极区；第一导电类型的发射极区，位于所述第二衬底层的上部区域中；发射极接触，位于所述第二衬底层上方并且与所述发射极区相连；基极接触，位于所述第二衬底层上方并且与所述基极区相连；钝化层，位于所述基极接触上方；以及延伸接触，位于所述发射极接触上方并且与所述发射极接触电连接，所述延伸接触具有下表面，所述下表面与所述发射极接触的上表面一起形成界面，所述界面设置用于提供穿过所述发射极和延伸接触的扩展电阻，所述扩展电阻与发射极和延伸接触的组合厚度成比例。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于NXP股份有限公司，未经NXP股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980163045.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于燃料电池测试平台的气体增湿系统
- 下一篇：离网风光互补供电系统用液流电池
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
