[发明专利]化学气相沉积设备以及化学气相沉积设备的温度控制方法

摘要

一种不需要特定的复杂或昂贵装置也能够感测衬托器表面和晶片表面的温度差异的方法。为了实现此目标，本发明提供一种化学气相沉积设备，该设备包括：腔室；衬托器，可转动地布置在所述腔室中并且在该衬托器上侧上堆叠晶片；气体供应器，设置在所述腔室中并且向所述晶片喷射气体；加热器，设置在所述衬托器中并且加热所述晶片；温度传感器，设置在所述腔室中并且测量所述衬托器的温度；转动识别标志，装配在与所述衬托器一起一体转动的位置；转动识别传感器，设置在所述腔室中以便判断所述衬托器的转动状态，并且探测所述转动识别标志；以及控制器，利用转动识别传感器和温度传感器计算所述衬托器的上侧的温度分布，并且基于所述温度分布控制所述加热器。

主权项

一种化学气相沉积设备，包括：腔室；衬托器，可转动地布置在所述腔室中并且被配置为在该衬托器上表面上装载晶片；气体供应器，设置在所述腔室中并且被配置为向所述晶片喷射气体；加热器，设置在所述衬托器中并且被配置为加热所述晶片；温度传感器，设置在所述腔室的上部并且被配置为测量所述衬托器的上表面的温度；转动识别标志，设置为与所述衬托器一起一体地转动；转动识别传感器，设置在所述腔室中并且被配置为探测所述转动识别标志，以便判断所述衬托器的转动状态；以及控制器，被配置为利用所述转动识别传感器和所述温度传感器计算所述衬托器的上部的温度分布，并且基于所述温度分布控制所述加热器。