[发明专利]包括金属-电介质-金属结构的发光二极管有效
| 申请号： | 200980160967.3 | 申请日： | 2009-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN102473802A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 李晶晶;戴维·A·法塔勒;拉尔斯·黑尔格·蒂伦;迈克尔·瑞恩·泰·谭;王世元 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种发光二极管(LED)(101)。LED(101)包括具有p型掺杂部分(112)、本征部分(114)和n型掺杂部分(116)的多个部分。本征部分(114)设置在p型掺杂部分(112)和n型掺杂部分(116)之间并形成p-i结(130)和i-n结(134)。LED(101)还包括金属-电介质-金属(MDM)结构(104)，该结构包括第一金属层(140)、第二金属层(144)以及设置在第一金属层(140)和第二金属层(144)之间的电介质。MDM结构(104)的金属层大体垂直于p-i结(130)和i-n结(134)设置，电介质包括本征部分(114)，且MDM结构(104)配置为通过存在于金属层内的表面等离振子相互作用以提高LED(101)的调制频率。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 金属 电介质 金属结构 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管(101)，包括：多个部分，包括：半导体的p型掺杂部分(112)、所述半导体的本征部分(114)和所述半导体的n型掺杂部分(116)，所述本征部分(114)设置在所述p型掺杂部分(112)和所述n型掺杂部分(116)之间，并与所述p型掺杂部分(112)形成p‑i结(130)，与所述n型掺杂部分(116)形成i‑n结(134)；和金属‑电介质‑金属结构(104)，包括：第一金属层(140)；第二金属层(144)；和设置在所述第一金属层(140)和所述第二金属层(144)之间的电介质；其中所述金属‑电介质‑金属结构(104)的金属层大体垂直于所述p‑i结(130)和所述i‑n结(134)设置，所述电介质包括所述本征部分(114)，且所述金属‑电介质‑金属结构(104)配置为通过存在于所述第一金属层(140)和所述第二金属层(144)内的表面等离振子相互作用来提高所述发光二极管(101)的调制频率。
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