[发明专利]基于混合金属价键化合物的记忆电阻有效
| 申请号： | 200980160656.7 | 申请日： | 2009-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN102484127A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | R·S·威廉斯;J·杨;M·皮克特;G·里贝罗;J·P·斯特拉钱 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 吕彩霞;杨思捷 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种基于混合金属价键化合物的记忆电阻(100、100’、100”)，包括：第一电极(115)；第二电极(120)；与至少一层完全氧化相层(110、110a、110b)物理接触的混合金属价键相层(105)。所述混合金属价键相实质上是用于完全氧化相的掺杂剂的凝集相，所述掺杂剂响应于施加的电场(125)漂移进和漂移出所述完全氧化相。所述第一和第二电极中的一个与所述混合金属价键相层或一层完全氧化相层(110a)电接触且所述第一和第二电极的另一个与所述完全氧化相层(或另一层(110b))电接触。记忆电阻通过形成任意顺序的所述混合金属价键相的层和所述完全氧化相层来形成，其中一层在另一层之上。还公开了一种可逆二极管(100’)和开启转换二极管(100”)。进一步公开了一种操作所述记忆电阻的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 混合 金属 化合物 记忆 电阻 | ||
【主权项】：
一种基于混合金属价键化合物的记忆电阻(100、100’、100”)，包括：第一电极(115)；第二电极(120)；与至少一完全氧化相层(110、110a、110b)物理接触的混合金属价键相层(105)，所述混合金属价键相实质上是用于完全氧化相的掺杂剂的凝集相，所述掺杂剂响应于施加的电场漂移进和漂移出所述完全氧化相，其中所述第一和第二电极中的一个与所述混合金属价键相层电接触，且其中所述第一和第二电极的另一个与所述完全氧化相层电接触。
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