[发明专利]光电转换元件

摘要

本发明的主要目的在于提供能够提高光电转换效率的光电转换元件。本发明的光电转换元件包括p层、n层、配置在p层与n层之间的i层、与p层连接的第一电极、以及与n层连接的第二电极，i层包括由第一半导体构成的壁层以及由配置在该壁层中的第二半导体构成的量子结构部，第一半导体的带隙比第二半导体的带隙宽，在将i层的厚度方向中央能够含有的n型杂质的浓度设为Cn1、将i层的p层侧区域能够含有的n型杂质的浓度设为Cn2、将i层的厚度方向中央能够含有的p型杂质的浓度设为Cp1、以及将i层的n层侧区域能够含有的p型杂质的浓度设为Cp2时，Cn1＜Cn2和/或Cp1＜Cp2。

主权项

一种光电转换元件，其特征在于，包括：p层、n层、配置在所述p层与所述n层之间的i层、与所述p层连接的第一电极、以及与所述n层连接的第二电极，所述i层具有由第一半导体构成的壁层、以及由配置在该壁层中的第二半导体构成的量子结构部，所述第一半导体的带隙比所述第二半导体的带隙宽，在所述i层的所述n层侧的区域含有p型杂质、以及/或者在所述i层的所述p层侧的区域含有n型杂质，在所述i层的所述n层侧的区域含有所述p型杂质的情况下，在将在所述i层的厚度方向中央能够含有的所述p型杂质的浓度设为Cp1、将在所述i层的所述n层侧的区域含有的所述p型杂质的浓度设为Cp2时，Cp1＜Cp2，在所述i层的所述p层侧的区域含有所述n型杂质的情况下，在将在所述i层的厚度方向中央能够含有的所述n型杂质的浓度设为Cn1、将在所述i层的所述p层侧的区域含有的所述n型杂质的浓度设为Cn2时，Cn1＜Cn2。