[发明专利]功率用半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200980160038.2 | 申请日： | 2009-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102473723A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 渡边昭裕;中田修平;三浦成久 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/04;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在高速地进行转换的功率用半导体装置中，由于转换时流过位移电流而产生高电压，有时如栅极绝缘膜那样的薄的绝缘膜的绝缘被破坏。本发明的半导体装置具备：第1导电型的半导体衬底(80)；形成于所述半导体衬底的第1主面的第1导电型的漂移层(70)；形成于所述漂移层的表层的一部分的第2导电型的第1阱区域(50)；在所述漂移层的表层的一部分处与所述第1阱区域隔开间隔地设置的从上面看到的面积比所述第1阱区域小的第2导电型的第2阱区域(51)；形成于所述第1阱区域的表层的杂质浓度比所述第1阱区域大的第1导电型的低电阻区域(55)；接触在所述第1阱区域的表面上而形成的栅极绝缘膜(32)；以及接触在所述栅极绝缘膜的表面上而形成的栅电极(21)。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率用半导体装置，其特征在于，具备：第1导电型的半导体衬底；第1导电型的漂移层，形成于所述半导体衬底的第1主面；第2导电型的第1阱区域，形成于所述漂移层的表层的一部分；从上面看到的面积比所述第1阱区域小的第2导电型的第2阱区域，该第2阱区域与所述第1阱区域离开间隔地设置于所述漂移层的表层的一部分；杂质浓度比所述第1阱区域大的第1导电型的低电阻区域，该低电阻区域形成于所述第1阱区域的表层；栅极绝缘膜，接触在所述第1阱区域以及所述低电阻区域的表面上而形成；以及栅电极，接触在所述栅极绝缘膜的表面上而形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980160038.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：变焦透镜和配备变焦透镜的图像拾取装置
- 下一篇：含填充剂·玻璃的树脂成形体
- 同类专利
- 专利分类
