[发明专利]SiC单晶的制造方法有效
| 申请号： | 200980159593.3 | 申请日： | 2009-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN102449208A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 旦野克典;关章宪;斋藤广明;河合洋一郎 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B15/14;C30B19/04 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;常殿国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种采用熔液法的SiC单晶的制造方法，该方法防止起因于使晶种接触熔液的晶种接触的缺陷的产生，生长降低了缺陷密度的SiC单晶。本发明的方法，通过在石墨坩埚内使SiC晶种接触含有Si的熔液从而在该SiC晶种上生长SiC单晶，该方法的特征在于，在使所述SiC晶种接触后，使所述熔液暂且升温到比该接触时的温度高、且比进行所述生长的温度高的温度。 | ||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC单晶的制造方法，通过在石墨坩埚内使SiC晶种接触含有Si的熔液，在该SiC晶种上生长SiC单晶，该制造方法的特征在于，在使所述SiC晶种接触后，使所述溶液暂且升温到比该接触时的温度高、且比进行所述生长的温度高的温度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丰田自动车株式会社，未经丰田自动车株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980159593.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：二次电池
- 下一篇：基于水箱式热水器的热水循环装置和方法
