[发明专利]气体传感器

摘要

一种用于在包括氢或含氢物质的气体中检测至少一种非含氢物质的场效应气体传感器(1)。该场效应气体传感器包括：半导体层(2，3)，其具有一个表面；至少一个欧姆接触(8)，其接触该半导体(3)；第一电子绝缘层(7)，其覆盖该半导体层的该表面的至少一部分；第二绝缘层(11)，其包括一种对氢或含氢物质基本呈化学惰性的材料，该第二绝缘层接触该第一电子绝缘层(7)和该半导体层(3)至少之一；至少一个电气接触(12)，其接触该第二绝缘材料(11)且包括一个导电、半导电和/或离子传导层。该场效应气体传感器被配置为使得所述至少一种非含氢物质与所述至少一个电气接触的至少一部分的相互作用影响该导电、半导电和/或离子传导层(12)的功函以及/或者该半导体层(3)中的电场，由此该场效应气体传感器的电流-电压(I-V)或电容-电压(C-V)特性被改变，其中I-V或C-V特性的改变提供了关于所述至少一种非含氢物质在该气体中的存在的信息。该场效应气体传感器在EGR(废气再循环)应用中的用途。一种对氢基本呈化学惰性的材料在场效应气体传感器中的用途。

主权项

一种用于在包括氢或含氢物质的气体中检测至少一种非含氢物质的场效应气体传感器，所述场效应气体传感器包括：‑半导体层，其具有一个表面；‑至少一个欧姆接触，其接触所述半导体；‑第一电子绝缘层，其覆盖所述半导体层的所述表面的至少一部分；‑第二绝缘层，其包括一种对氢或含氢物质基本呈化学惰性的材料，所述第二绝缘层接触所述第一电子绝缘层和所述半导体层至少之一；‑至少一个电气接触，其接触所述第二绝缘材料且包括一个导电、半导电和/或离子传导层；其中所述场效应气体传感器被配置为使得所述至少一种非含氢物质与所述至少一个电气接触的至少一部分的相互作用影响所述导电、半导电和/或离子传导层的功函以及/或者所述半导体层中的电场，由此所述场效应气体传感器的电流‑电压(I‑V)或电容‑电压(C‑V)特性被改变，其中I‑V或C‑V特性的改变提供了关于所述至少一种非含氢物质在所述气体中的存在的信息。