[发明专利]半导体异质结构热电器件无效
| 申请号： | 200980158442.6 | 申请日： | 2009-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN102369610A | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | A.M.布拉特科夫斯基;L.齐贝斯科夫 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/00 | 分类号： | H01L35/00;H01L35/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张晓冬;王洪斌 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体异质结构热电器件(101)。半导体异质结构热电器件(101)包括：至少一个热电异质结构单元(110)。热电异质结构单元(110)包括：由第一半导体材料构成的第一部分(112)和由第二半导体材料构成的第二部分(114)，该第二部分(114)与第一部分(112)形成异质结(116)。第一半导体材料具有第一电导率和第一热导率；而且，第二半导体材料具有第二电导率和第二热导率。作为第二部分(114)的至少一个亚微米小片(244d)来设置第二半导体材料。另外，第二半导体材料包括第一半导体材料与合金成分的合金。由ZT定义的半导体异质结构热电器件(101)的性能的无量纲品质因数大于1。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 热电器件 | ||
【主权项】：
一种半导体异质结构热电器件(101)，其包括：至少一个热电异质结构单元(110)，所述热电异质结构单元(110)包括：由第一半导体材料构成的第一部分(112)，所述第一半导体材料具有第一电导率和第一热导率；以及由第二半导体材料构成的第二部分(114)，而且所述第二部分(114)与所述第一部分(112)形成异质结(116)，所述第二半导体材料具有第二电导率和第二热导率，所述第二半导体材料被设置为所述第二部分(114)的至少一个亚微米小片(244d)，所述第二半导体材料包括所述第一半导体材料与合金成分的合金；以及其中，由ZT定义的所述半导体异质结构热电器件(101)的性能的无量纲品质因数大于1。
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