[发明专利]用于包括晶片的层系统的分离方法有效
申请号: | 200980157334.7 | 申请日: | 2009-12-23 |
公开(公告)号: | CN102326245B | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 弗朗茨·里克特 | 申请(专利权)人: | 薄型材料公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 王萍,周涛 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于将层复合结构(8)与支承体复合结构(1a)以机械方式分离的方法,该支承体复合结构包括第一支承体(1)或者由第一支承体(1)构成,其中层复合结构(8)包括晶片(7)和必要时包括可伸展的支承体(20),该方法包括以下步骤a)提供层系统(1a,8),其包括支承体复合结构(1a)和层复合结构(8),b)在支承体复合结构(1a)和层复合结构(8)之间的边界面的区域中产生机械应力,使得层复合结构(8)与支承体复合结构(1a)通过如下方法分离,该方法包括i)如下步骤ia)提供分离辅助装置(29),ib)将分离辅助装置(29)固定在第二支承体(20)上,使得在分离过程期间第二支承体(20)直接在分离时形成的分离前部(33)之后保持固定在分离辅助装置(29)上,以及ic)利用分离前部(33)将层复合结构(8)与支承体复合结构(1a)以机械方式分离;和/或ii)以下步骤ii)在层系统(1a,8)中产生振动;和/或iii)以下步骤iii)改变层系统(1a,8)的温度或者层系统(1a,8)的部分的温度,条件是当在该方法中未包括步骤ia)‑ic)时,步骤ii)和/或iii)引起层复合结构与支承体复合结构的完全分离。 | ||
搜索关键词: | 用于 包括 晶片 系统 分离 方法 | ||
【主权项】:
一种用于将层复合结构(8)与支承体复合结构(1a)以机械方式分离的方法,支承体复合结构(1a)包括第一支承体(1)或者由第一支承体(1)构成,其中层复合结构(8)包括晶片(7)和包括能够伸展的第二支承体(20),所述方法包括以下步骤:a)提供包括支承体复合结构(1a)和层复合结构(8)的层系统(1a,8)b)在支承体复合结构(1a)和层复合结构(8)之间的边界面的区域中产生机械应力,使得层复合结构(8)与支承体复合结构(1a)通过如下方法分离,该方法包括:i)步骤:ia)提供分离辅助装置(29),ib)将分离辅助装置(29)固定在第二支承体(20)上,使得在分离过程期间第二支承体(20)直接在分离时形成的分离前部(33)之后保持固定在分离辅助装置(29)上,以及ic)在利用恰好一个分离前部(33)的情况下将层复合结构(8)与支承体复合结构(1a)以机械方式分离,其中分离辅助装置(29)是柔性板,以及其中第一支承体(1)固定在保持装置(28)上,柔性板(29)和保持装置(28)分别具有至少一个成形部,并且其中力在柔性板(29)的至少一个成形部和保持装置(28)的至少一个成形部之间起作用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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