[发明专利]铜铁矿铜透明P型半导体的制造方法及应用有效
| 申请号: | 200980157049.5 | 申请日: | 2009-12-21 |
| 公开(公告)号: | CN102326260A | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
| 发明(设计)人: | 考施·K·辛格;奥姆卡拉姆·诺拉马苏;尼蒂·M·克里希纳;迈克尔·斯努尔;阿什托西·缇瓦瑞 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 一种用于制造铜铁矿铜材料的方法,包括:一用于合成CuBO2粉末的低温溶胶-凝胶工艺;及一用于使用由所述CuBO2粉末制成的靶材形成CuBO2薄膜的脉冲激光沉积(PLD)工艺。所述CuBO2薄膜是光学透明的p型半导体氧化物薄膜。具有CuBO2薄膜的器件包括:包含CuBO2薄膜作为一通道层的p型透明薄膜晶体管(TTFT);及具有CuBO2p层的薄膜太阳能电池。本文也描述固态染料敏化太阳能电池(SS-DSSC)及制造方法,该太阳能电池包含呈各种形式的CuBO2,所述形式包括“核心-壳”及“纳米耦合”粒子。 | ||
| 搜索关键词: | 铁矿 透明 半导体 制造 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种固态染料敏化太阳能电池,包括:p型半导体材料,所述p型半导体材料具有CuBO2的一般组成及化学计量;n型半导体材料;染料;和一对的电极;其中所述一对的电极中至少其一是光学透明的,并且其中所述n型半导体材料、所述p型半导体材料和所述染料在所述一对的电极之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





