[发明专利]铜铁矿铜透明P型半导体的制造方法及应用有效

专利信息
申请号: 200980157049.5 申请日: 2009-12-21
公开(公告)号: CN102326260A 公开(公告)日: 2012-01-18
发明(设计)人: 考施·K·辛格;奥姆卡拉姆·诺拉马苏;尼蒂·M·克里希纳;迈克尔·斯努尔;阿什托西·缇瓦瑞 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;钟强
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种用于制造铜铁矿铜材料的方法,包括:一用于合成CuBO2粉末的低温溶胶-凝胶工艺;及一用于使用由所述CuBO2粉末制成的靶材形成CuBO2薄膜的脉冲激光沉积(PLD)工艺。所述CuBO2薄膜是光学透明的p型半导体氧化物薄膜。具有CuBO2薄膜的器件包括:包含CuBO2薄膜作为一通道层的p型透明薄膜晶体管(TTFT);及具有CuBO2p层的薄膜太阳能电池。本文也描述固态染料敏化太阳能电池(SS-DSSC)及制造方法,该太阳能电池包含呈各种形式的CuBO2,所述形式包括“核心-壳”及“纳米耦合”粒子。
搜索关键词: 铁矿 透明 半导体 制造 方法 应用
【主权项】:
一种固态染料敏化太阳能电池,包括:p型半导体材料,所述p型半导体材料具有CuBO2的一般组成及化学计量;n型半导体材料;染料;和一对的电极;其中所述一对的电极中至少其一是光学透明的,并且其中所述n型半导体材料、所述p型半导体材料和所述染料在所述一对的电极之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980157049.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top