[发明专利]电子注入纳米结构半导体材料阳极电致发光的方法和装置无效
| 申请号： | 200980156208.X | 申请日： | 2009-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN102308669A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | D·王 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H05B33/00 | 分类号： | H05B33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的实施例包括通过从场发射器阴极跨过一间隙将电子注入纳米结构半导体材料而发光的方法和装置，电子从分开的场发射器发出且通过穿过间隙的电压朝着形成阳极的一部分的纳米结构材料的表面加速。在纳米结构材料处，电子经过电子-空穴(e-h)复合而产生电致发光(EL)发射。在优选的实施例照明装置中，真空外壳容纳场发射器阴极。该真空外壳也容纳阳极，该阳极与所述阴极隔开一间隙且设置为接收从阴极发射的电子。该阳极包括半导体发光纳米结构，其接收来自阴极的电子注入且响应于该电子注入产生光子。外部电极接触允许在阳极和阴极间施加电压差，以从阴极激发电子发射并从该阳极的半导体发光纳米结构产生光子发射。本发明的实施例也包括利用纳米结构半导体材料作为传统平面LED和纳米线阵列发光二极管和CFL的磷光体。对于在传统平面LED中的使用，该纳米结构可以采用量子点、纳米管、分枝树状纳米结构、纳米花、四角状结构、三角状结构、轴向异质结构纳米线异质结构的形式。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 注入 纳米 结构 半导体材料 阳极 电致发光 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种发光装置，包括：真空外壳；在该真空外壳内的场电子发射器阴极；以及在该真空外壳内的阳极，该阳极与所述阴极隔开一间隙且设置为接收从所述阴极发射的电子，该阳极包括半导体发光纳米结构，该半导体发光纳米结构接收来自该阴极的电子注入并且响应于该电子注入而产生光子。
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