[发明专利]半导体基板结构及半导体装置有效
| 申请号： | 200980154577.5 | 申请日： | 2009-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN102282659A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 仲野纯章 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体基板结构及半导体装置。该半导体基板结构包括形成在半导体基板主体(100)上的电极焊盘(103)、在半导体基板主体(100)上与电极焊盘(103)留有间隔形成的表面保护膜(123)以及形成在电极焊盘(103)上的凸点(111)。表面保护膜(123)具有包围电极焊盘(103)的障碍部(123a)。障碍部(123a)的高度与表面保护膜(123)中障碍部(123a)以外的部分的高度不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 板结 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体基板结构，其包括：形成在半导体基板主体上的电极焊盘、形成在所述半导体基板主体上且具有让所述电极焊盘露出的开口部的表面保护膜、以及形成在所述电极焊盘上的凸点，其特征在于：所述电极焊盘和所述表面保护膜相互留有间隔而形成，所述表面保护膜具有包围所述电极焊盘的障碍部，所述障碍部的高度与所述表面保护膜中障碍部以外之部分的高度不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980154577.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种湿法酿醋气动搅拌装置
- 下一篇：一种灰盘门帘式密封结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
