[发明专利]柱形结构的阻剂结构元件和可移除间隔物间距加倍构图方法有效
| 申请号： | 200980153246.X | 申请日： | 2009-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102272888A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 陈永廷;S.J.拉迪甘 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 丁辰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成至少一层；在至少一层上形成可成像材料的至少两个分隔开的结构元件；在至少两个结构元件上形成侧壁间隔物；以及用填充物结构元件来填充在第一结构元件上的第一侧壁间隔物和第二结构元件上的第二侧壁间隔物之间的空间。该方法还包括：选择性地移除侧壁间隔物以留下第一结构元件，所述填充物结构元件和第二结构元件彼此分隔开；以及使用该第一结构元件、所述填充物结构元件和第二结构元件作为掩模，来蚀刻至少一层。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 元件 间隔 间距 加倍 构图 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成至少一层；在该至少一层上形成可成像材料的至少两个分隔开的结构元件；在该至少两个结构元件上形成侧壁间隔物；用填充物结构元件来填充在第一结构元件上的第一侧壁间隔物和第二结构元件上的第二侧壁间隔物之间的空间；选择性地移除侧壁间隔物，以留下彼此分隔开的所述第一结构元件、所述填充物结构元件和所述第二结构元件；以及把所述第一结构元件、所述填充物结构元件和所述第二结构元件用作掩模，来蚀刻该至少一层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克3D有限责任公司，未经桑迪士克3D有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980153246.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：蓄电池再生设备
- 下一篇：电话和数字媒体服务设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
