[发明专利]深沟槽变容器有效
| 申请号： | 200980151846.2 | 申请日： | 2009-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102257622A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | D·S·柯林斯;R·M·拉塞尔;E·托普松 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种与深沟槽电容器结构(20，30B，40B)兼容的深沟槽变容器结构(30A，40A，50)及其制造方法。在第二深沟槽(HB)上形成掩埋板层(20)，而保护第一沟槽(11A)免于形成任何掩埋板层。深沟槽的内部填充导电材料，以形成内部电极(40A，40B)。在外面与第一深沟槽的部分邻接形成至少一个掺杂阱(50)，其构成至少一个外部变容器电极。多个掺杂阱(50，60)可并联，以提供具有复杂的电压依赖性的电容的变容器(30A，40A，50，60)。掩埋板层以及与其相连的另一掺杂阱(52)构成第二深沟槽上所形成的线性电容器的外部电极。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟 容器 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包含：深沟槽，位于半导体衬底中并且具有位于距离该半导体衬底顶表面第一深度的底表面；节点电介质，邻接该深沟槽的侧壁及该底表面；导电内部电极，位于该节点电介质内；掺杂阱，从该半导体衬底的该顶表面延伸至第二深度，其位于该深沟槽之外，并且邻接并横向包围该节点电介质，其中该第二深度小于该第一深度；以及半导体区域，具有与该掺杂阱不同的掺杂剂浓度或不同导电类型的掺杂，该半导体区域位于该半导体衬底内，并且邻接并横向包围该深沟槽的距该半导体衬底的该顶表面一深度之下的下部的整体，其中该深度小于该第一深度。
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