[发明专利]噪声消除图像传感器有效
申请号: | 200980150695.9 | 申请日: | 2009-12-16 |
公开(公告)号: | CN102257616A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 郑苍隆 | 申请(专利权)人: | 郑苍隆 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;蒋骏 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示一种图像传感器,其具有一像素阵列内的多个像素,该像素阵列耦合到一控制电路且耦合到一个或一个以上减法电路。该控制电路可使一耦合到一像素的输出晶体管提供一第一参考输出信号、一共同复位输出信号及一第一感测节点复位输出信号,一减法电路在该第一参考输出信号、该共同复位输出信号及该第一感测节点复位输出信号之间可形成一经加权差以产生一噪声信号。该控制电路可使该输出晶体管提供一第二感测节点复位输出信号、一光响应输出信号及一第二参考输出信号,一减法电路在该第二感测节点复位输出信号、该光响应输出信号及该第二参考输出信号之间可形成一经加权差以产生一经正规化的光响应信号。该光响应输出信号对应于将由该传感器俘获的图像。可从该经正规化的光响应信号减去该噪声信号以产生一经去噪声的信号。 | ||
搜索关键词: | 噪声 消除 图像传感器 | ||
【主权项】:
一种图像传感器,其包含:一光检测器;一输出晶体管,其一栅极经耦合以从该光检测器接收一信号;一复位晶体管,其一漏极经耦合以复位该输出晶体管的一栅极;一转接晶体管,其经耦合以将该信号从该光检测器传送到该栅极;一取样电路,其经耦合以从该输出晶体管接收一输出信号;及一控制电路,其具有多种配置,包括:一第一配置,其将该复位晶体管切换到一第一三极管区,以使得该输出晶体管提供一经取样的第一参考输出信号;一第二配置,其将该复位晶体管切换到一第一关断状态且将该转接晶体管切换到一第二三极管区,以使得该输出晶体管提供一经取样的共同复位输出信号;一第三配置,其将该转接晶体管切换到一第二关断状态,以使得该输出晶体管提供一经取样的第一感测节点复位输出信号;一第四配置,其切换该取样电路以当该复位晶体管处于该第一三极管区中时对该经取样的第一参考输出信号取样且加以存储;一第五配置,其切换该取样电路以当该转接晶体管处于该第二三极管区中时对该经取样的共同复位输出信号取样且加以存储;及一第六配置,其切换该取样电路以当该转接晶体管处于该第二关断状态时对该经取样的第一感测节点复位信号取样并加以存储。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于郑苍隆,未经郑苍隆许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980150695.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:制造粗合成气的方法和装置
- 下一篇:用于调节电子系统的参数的输入装置和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的