[发明专利]多位多铁性存储器元件有效
| 申请号： | 200980149958.4 | 申请日： | 2009-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102246237A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | S·F·卡格;G·I·梅杰 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C11/16;G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种存储器元件(1)，其包括源极电极(12)、漏极电极(13)以及栅极，其中所述存储器元件的存储器状态可通过向所述栅极施加电压信号而加以切换，且可通过跨越沟道区域(21)测量所述源极电极与所述漏极电极之间的电流-电压特性加以读取。所述栅极包括多铁性材料(15)。可在所述沟道区域(21)中产生磁场。根据本发明，所述多铁性材料(15)包括第一稳定畴和第二稳定畴(15.1；15.2)，其中所述第一畴的切换状态通过在栅极电极与所述源极电极之间施加第一写入电压信号加以设定，且所述第二畴的切换状态通过在所述栅极电极与所述漏极电极之间施加第二写入电压信号加以设定，由此，所述存储器元件为2位存储器元件。 | ||
| 搜索关键词： | 多位多铁性 存储器 元件 | ||
【主权项】：
一种存储器元件，其包括源极电极(12)、漏极电极(13)以及栅极，其中所述存储器元件的存储器状态可通过向所述栅极施加电压信号加以切换，且可通过跨越沟道区域(21)测量所述源极电极与所述漏极电极之间的电流‑电压特性加以读取，其中所述栅极包括多铁性材料(15、35)，且其中所述存储器元件包括用于在所述沟道区域(21)中产生磁场的装置，其特征在于，所述多铁性材料(15、35)包括第一稳定畴和第二稳定畴(15.1、35.1；15.2、35.2)，其中所述第一畴的切换状态通过在栅极电极与所述源极电极之间施加第一写入电压信号加以设定，且所述第二畴的切换状态通过在所述栅极电极与所述漏极电极之间施加第二写入电压信号加以设定，由此，所述存储器元件为2位存储器元件。
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