[发明专利]用于气相沉积的同轴喷头无效
| 申请号: | 200980149843.5 | 申请日: | 2009-10-09 |
| 公开(公告)号: | CN102246274A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
| 发明(设计)人: | 安德瑞斯·海吉杜斯 | 申请(专利权)人: | 奥塔装置公司 |
| 主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 苗源;郑霞 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 本发明的实施方式一般涉及一种在气相沉积工艺过程中沉积反应器或系统中使用的同轴气体歧管组件。在一个实施方式中,歧管组件具有耦合到中间部分的上部分,中间部分耦合到下部分。中间部分包含进口、从进口延伸到通路的歧管、和沿中心轴线延伸并包含通道的管,所述通道沿中心轴线并且与通路流体连通。歧管组件的下部分包含从第二进口延伸到第二通路的第二歧管和与中心轴线同轴的开口。管延伸到开口以在管和开口的边缘之间形成第二通道。第二通道与中心轴线同轴并且与第二通路流体连通。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 沉积 同轴 喷头 | ||
【主权项】:
一种用于气相沉积工艺的气体歧管组件,该气体歧管组件包括:中间部分,其包含第一进气口、从所述第一进气口延伸到第一通路的第一气体歧管和沿中心轴线延伸并包含沿所述中心轴线的第一通道的管,其中,所述第一通路与所述第一通道流体连通;下部分,其耦合到所述中间部分并包含第二进气口、从所述第二进气口延伸到第二通路的第二气体歧管和与所述中心轴线同轴的开口,其中,所述管延伸至所述开口以在所述管和所述开口的边缘之间形成第二通道,所述第二通道与所述中心轴线同轴,并且所述第二通路与所述第二通道流体连通;以及上部分,其耦合到所述中间部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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