[发明专利]再循环用于沉积半导体层的气体的系统和方法无效
| 申请号： | 200980149214.2 | 申请日： | 2009-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102246272A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | J·M·斯特芬斯;B·O·斯蒂姆森;G·N·侯塞因 | 申请（专利权）人： | 薄膜硅公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王莉莉 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种再循环系统包括处理室、回收贮藏器和混合贮藏器。处理室被构造为接收沉积在半导体层上的沉积气体。处理室具有排出沉积气体的未用部分作为排泄气体的排气装置。回收贮藏器与处理室流体连通。回收贮藏器被构造为接收并存储来自处理室的排泄气体。混合贮藏器与回收贮藏器和处理室流体连通。混合贮藏器被构造为将排泄气体与原料气体进行混合以形成再循环沉积气体。混合贮藏器向处理室提供再循环沉积气体以沉积半导体层的附加部分。 | ||
| 搜索关键词： | 再循环 用于 沉积 半导体 气体 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种再循环系统，所述系统包括：处理室，用于接收沉积在半导体层上的沉积气体，所述处理室具有排出沉积气体的未用部分作为排泄气体的排气装置；回收贮藏器，与处理室流体连通，所述回收贮藏器用于接收并存储来自处理室的排泄气体；以及混合贮藏器，与回收贮藏器和处理室流体连通，所述混合贮藏器用于将排泄气体与原料气体进行混合以形成再循环沉积气体，所述混合贮藏器向处理室提供再循环沉积气体以沉积半导体层的附加部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
